概括Epson旗下產(chǎn)品中的CMOS輸出OSC晶振及其性能簡述
來源：http://eitherspanlaw.com 作者：億金電子 2020年10月27
概括Epson旗下產(chǎn)品中的CMOS輸出OSC晶振及其性能簡述
所謂OSC晶振即指的是普通有源晶振,同時它還有個名稱就是SPXO晶振,這種產(chǎn)品不同于無源晶振的地方就是它自身帶有電壓源及振蕩電路,不需要依靠外部時鐘電路驅(qū)動,但這同時也限制了其靈活性,比如驅(qū)動電平就不夠靈活多變;同時有源晶振還有輸出模式,常用的是方波和正弦波兩種,包括有CMOS,LVDS,正弦波等,但是通常情況下還是采用CMOS輸出的產(chǎn)品的比較常見,以下就是對愛普生晶振旗下采用這種輸出邏輯的產(chǎn)品的大概的概括,以希望能夠幫助廣大用戶對此加深了解.
這些產(chǎn)品的主要特點如下幾點:1)輸出頻率范圍在1Mhz到170Mhz之間,有高頻也有低頻;2)工作溫度區(qū)間在-40-105℃之間,可見其中一部分產(chǎn)品的耐高溫特性是非常不錯的,甚至已經(jīng)超越工業(yè)級晶振,基本滿足車載晶振需求了;3)頻率公差在±25ppm,±50ppm,±100ppm不等;4)工作電壓方面可提供1.8V,2.5V,3.3V,5.0V等多種驅(qū)動電平信號;5)封裝尺寸倒是極為齊全,目前常用尺寸都有,包括7.0x5.0,5.0x3.2,3.2x2.5,2.5x2.0,2.0x1.6等,輸出邏輯方面自然不必多說,都是采用CMOS輸出.
愛普生的CMOS簡單封裝晶體振蕩器(SPXO)包含一個石英晶體和一個振蕩器集成電路.為了提高質(zhì)量,愛普生僅使用基本模式晶體.愛普生的CMOSSPXO的尺寸從7.0mmx5.0mm到2.0mmx1.6mm,覆蓋溫度范圍高達(dá)-40℃到+105℃,并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳排列.
并且愛普生的固定頻率CMOS輸出SPXO通過各種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型表面貼裝封裝提供高性能和低功耗,并適合所有應(yīng)用.
關(guān)于基礎(chǔ)水晶方面的問題:
據(jù)說為了保證質(zhì)量,愛普生晶振CMOS SPXO僅使用基本模式晶體.基本晶體不會遭受第三泛音設(shè)計常見的模式跳躍或冷啟動問題.與基于PLL的振蕩器相比,基本振蕩器耗散的功率更少,并且不會產(chǎn)生參考雜散和雜散.
然而對于低于75MHz的頻率,EpsonCMOSSPXO使用標(biāo)準(zhǔn)的AT切割(基本)晶體.在80MHz以上,EpsonCMOSSPXO使用HFF(高頻基波)晶體.為了獲得高頻率,使用氫氟酸(HF)蝕刻HFF晶體以產(chǎn)生具有薄諧振區(qū)的倒置臺面.通過對AT切割和HFF晶體使用光刻MEMS蝕刻工藝,愛普生可在所有頻率上實現(xiàn)出色的工藝控制和良好的機械特性.
下面是一些相關(guān)的產(chǎn)品信息,能夠很直觀的看出愛普生在這方面的優(yōu)勢:
然而,對于任何石英晶振產(chǎn)品來說,工作環(huán)境的溫度是其保持頻率穩(wěn)定最大的障礙,所以愛普生旗下這些CMOS輸出SPXO晶振也不例外;還記得在之前提到的四種頻率公差嗎?不錯,那就是在不同溫度下的頻率公差,在105℃下頻率公差會變?yōu)?00ppm.這是目前還無法進(jìn)行優(yōu)化的,所有廠家都還在這條路上走著,沒有誰到達(dá)了終點.
所謂OSC晶振即指的是普通有源晶振,同時它還有個名稱就是SPXO晶振,這種產(chǎn)品不同于無源晶振的地方就是它自身帶有電壓源及振蕩電路,不需要依靠外部時鐘電路驅(qū)動,但這同時也限制了其靈活性,比如驅(qū)動電平就不夠靈活多變;同時有源晶振還有輸出模式,常用的是方波和正弦波兩種,包括有CMOS,LVDS,正弦波等,但是通常情況下還是采用CMOS輸出的產(chǎn)品的比較常見,以下就是對愛普生晶振旗下采用這種輸出邏輯的產(chǎn)品的大概的概括,以希望能夠幫助廣大用戶對此加深了解.
愛普生的CMOS簡單封裝晶體振蕩器(SPXO)包含一個石英晶體和一個振蕩器集成電路.為了提高質(zhì)量,愛普生僅使用基本模式晶體.愛普生的CMOSSPXO的尺寸從7.0mmx5.0mm到2.0mmx1.6mm,覆蓋溫度范圍高達(dá)-40℃到+105℃,并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳排列.
并且愛普生的固定頻率CMOS輸出SPXO通過各種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型表面貼裝封裝提供高性能和低功耗,并適合所有應(yīng)用.
關(guān)于基礎(chǔ)水晶方面的問題:
據(jù)說為了保證質(zhì)量,愛普生晶振CMOS SPXO僅使用基本模式晶體.基本晶體不會遭受第三泛音設(shè)計常見的模式跳躍或冷啟動問題.與基于PLL的振蕩器相比,基本振蕩器耗散的功率更少,并且不會產(chǎn)生參考雜散和雜散.
然而對于低于75MHz的頻率,EpsonCMOSSPXO使用標(biāo)準(zhǔn)的AT切割(基本)晶體.在80MHz以上,EpsonCMOSSPXO使用HFF(高頻基波)晶體.為了獲得高頻率,使用氫氟酸(HF)蝕刻HFF晶體以產(chǎn)生具有薄諧振區(qū)的倒置臺面.通過對AT切割和HFF晶體使用光刻MEMS蝕刻工藝,愛普生可在所有頻率上實現(xiàn)出色的工藝控制和良好的機械特性.
下面是一些相關(guān)的產(chǎn)品信息,能夠很直觀的看出愛普生在這方面的優(yōu)勢:
| Product | Size(mm) | Frequency(MHz) | VCC(V) | ICC,max(mA) |
| ATCrystalSPXO | ||||
| SG2016CAN | 2.0x1.6x0.7 | 1.2to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
| SG-210STF | 2.5x2.0x0.8 | 1to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
| SG-310SEF | 3.2x2.5x1.05 | 2to48 | 1.8 | 4.5 |
| SG-310SDF | 3.2x2.5x1.05 | 2to48 | 2.5 | 4.5 |
| SG-310SCF | 3.2x2.5x1.05 | 2to48 | 3.3 | 4.5 |
| SG5032CAN | 5.0x3.2x1.1 | 1to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
| SG7050CAN | 7.0x5.0x1.3 | 1to75 | 1.8to3.3 | 3.0 |
| ATCrystalHighVoltage(5V)SPXO | ||||
| SG5032CCN | 5.0x3.2x1.1 | 2.5to50 | 5.0 | 20.0 |
| SG7050CCN | 7.0x5.0x1.3 | 2.5to50 | 5.0 | 20.0 |
| HFFCrystalSPXO | ||||
| SG-210SEH | 2.5x2.0x0.8 | 80to170 | 1.8 | 8.0 |
| SG-210SDH | 2.5x2.0x0.8 | 80to170 | 2.5 | 9.0 |
| SG-210SCH | 2.5x2.0x0.8 | 80to170 | 3.3 | 11.0 |
| SG5032CBN | 5.0x3.2x1.1 | 80to170 | 1.8to3.3 | 11.0 |
| SG7050CBN | 7.0x5.0x1.3 | 80to170 | 1.8to3.3 | 11.0 |
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