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首頁(yè)歐美晶振SiTime晶振SiTime晶振,SiT1533晶振,2012有源晶振

SiTime晶振,SiT1533晶振,2012有源晶振

  • 頻率:32.768KHZ
  • 尺寸:2.0*1.2mm
  • 應(yīng) 用: 貼片石英晶體諧振器,又簡(jiǎn)稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤(pán)式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控...
  • RoHS RoHS2


  貼片石英晶體諧振器,又簡(jiǎn)稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤(pán)式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。
  SiTime晶振,SiT1533晶振,2012有源晶振本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
  SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時(shí)間解決方案.我們的團(tuán)隊(duì)熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時(shí)間問(wèn)題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運(yùn)送了超過(guò)6.25億臺(tái)設(shè)備,占MEMS時(shí)間的90%,并且年增長(zhǎng)率超過(guò)50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.
  在過(guò)去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時(shí)鐘發(fā)生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計(jì)時(shí)元件.由于沒(méi)有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時(shí)裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.

Frequency and Stability 
Fixed Output Frequency 32.768KHZ  
Frequency Stability
Frequency Tolerance  20 ppm TA = 25°C, post reflow, Vdd: 1.5V – 3.63V. 
Frequency Stability 75 ppm TA = -10°C to +70°C, Vdd: 1.5V – 3.63V.
100 ppm TA = -40°C to +85°C, Vdd: 1.5V – 3.63V. 
250 ppm TA = -10°C to +70°C, Vdd: 1.2V – 1.5V. 
25°C Aging  1 ppm 1st Year
Supply Voltage and Current Consumption 
Operating Supply Voltage  1.2~3.63V TA = -10°C to +70°C 
1.5~3.63V TA = -40°C to +85°C 
Core Operating Current 0.9 μA  TA = 25°C, Vdd: 1.8V. No load 
  1.3 μA   TA = -10°C to +70°C TA = -10°C to +70°C, Vdd max: 3.63V. No load
  1.4 μA  TA = -40°C to +85°C, Vdd max: 3.63V. No load 
Output Stage Operating Current   TA = -40°C to +85°C, Vdd: 1.5V – 3.63V. No load 
Power-Supply Ramp 100 ms TA = -40°C to +85°C, 0 to 90% Vdd 
Start-up Time at Power-up  180~300 ms TA = -40°C ≤ TA ≤ +50°C, valid output 
450 ms TA = +50°C < TA ≤ +85°C, valid output 
Operating Temperature Range
Commercial Temperature -10~70 °C   
Industrial Temperature  -40~85 °C   



  SiTime晶振采用系統(tǒng)的方法來(lái)解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響
開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售擁有最有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿足最高可能功效標(biāo)準(zhǔn)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)等產(chǎn)品。  
采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝,SiTime晶振,SiT1533晶振,2012有源晶振
石英水晶振蕩子,陶瓷振動(dòng)子,32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體系列產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開(kāi)發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作
無(wú)論公司在世界何處,其經(jīng)營(yíng)都應(yīng)保證生產(chǎn)過(guò)程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)
確保業(yè)務(wù)合作伙伴對(duì)環(huán)境問(wèn)題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)
以公開(kāi)和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
  SiTime晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.
集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少晶振,石英晶振, 石英水晶振蕩子材料廢棄物等.


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