SiTime可編程晶振,SiT1568晶振,32.768KHZ溫補(bǔ)晶振小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
        在過(guò)去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時(shí)鐘發(fā)生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計(jì)時(shí)元件.由于沒(méi)有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時(shí)裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.
        SiTime石英晶體振蕩器可編程架構(gòu)使最靈活的產(chǎn)品具有更多的特性和超快的領(lǐng)導(dǎo)時(shí)間.為電子產(chǎn)品的微型化提供了支持,它提供了行業(yè)中最小的包的定時(shí)解決方案——小到1.5 x0.8毫米,以及減少組件計(jì)數(shù)的獨(dú)特功能.我們的產(chǎn)品通過(guò)將多個(gè)組件的功能組合在同一個(gè)包中來(lái)減少董事會(huì)空間.半導(dǎo)體公司正在集成我們的硅MEMS諧振器在其SOCs / ASICs中完全消除外部時(shí)鐘和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì).
       SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個(gè)應(yīng)用程序中被超過(guò)1000個(gè)客戶使用.我們的最大容量設(shè)計(jì)是在網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)者、計(jì)算和存儲(chǔ)部分.2011年,我們開(kāi)始為電信、無(wú)線和工業(yè)應(yīng)用提供產(chǎn)品.SiTime于2013年進(jìn)入智能手機(jī)市場(chǎng),推出了首個(gè)移動(dòng)電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速發(fā)展.

Frequency and Stability
Fixed Output Frequency	32.768KHZ
Total Frequency Stability	±5 ppm ±25 ppm	All inclusive, after overmold, post in-system calibration. All inclusive, after overmold, before in-system calibration.
First Year Frequency Aging	±1 ppm	TA = 25°C, Vdd = 1.8V, with overmold.
Jitter and Frequency Response Performance
Integrated Phase Jitter	1.8~2.5 nsRMS	Integration bandwidth = 100 Hz to 16.384 kHz. Inclusive of 50 mV peak-to-peak sinusoidal noise on Vdd. Noise frequency 100 Hz to 20 MHz.
RMS Period Jitter	2.5~4 nsRMS	10,000 samples, per JEDEC standard 65B
Peak-to-Peak Period Jitter	20~35 nsp-p
Dynamic Temperature Frequency Response	±0.5 ppm/sec	Under temp ramp up to 1.5°C/sec
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage	1.62~1.98V
Supply Current	4.5~5.3 µA	No load
Start-up Time at Power-up	300 ms	Measured when supply reaches 90% of final Vdd to the first output pulse.
Operating Temperature Range
Commercial Temperature	-20~70 °C
Industrial Temperature	-40~85 °C
LVCMOS Output
Output Rise/Fall Tim	9~20 ns	10-90% (Vdd), 15 pF Load.
Output Clock Duty Cycle	45~55%
Output Voltage High	90% vdd	LOH = -1 μA
Output Voltage Low	10% VDD	LOL = 1 μA

        SiTime晶振環(huán)?；纠砟睿?br />         SiTime可編程晶振,SiT1568晶振,32.768KHZ溫補(bǔ)晶振
       1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
       2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
       3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
       4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于石英晶振晶體原材料減少?gòu)U棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).
       5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
       6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.
       SiTime晶振完全符合ISO14001環(huán)境管理體系國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架：
       建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過(guò)程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；
       持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾；
      減少石英晶振晶體材料污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾；
      依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；
      “減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.