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首頁(yè)進(jìn)口晶振西鐵城CM200S晶振,進(jìn)口貼片晶振,大陸進(jìn)口晶振代理商,CM200S32.768KDZBTR

西鐵城CM200S晶振,進(jìn)口貼片晶振,大陸進(jìn)口晶振代理商,CM200S32.768KDZBTR

  • 頻率：32.768KHZ
  • 尺寸：7.9*3.7mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
  • 應(yīng)　用： 小型薄型,"CM200S32.768KDZBTR"輕型的表面貼片音叉型晶體諧振器具有優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定
  • RoHS RoHS2

西鐵城CM200S晶振,進(jìn)口貼片晶振,大陸原裝進(jìn)口晶振代理商,貼片石英晶體,"CM200S32.768KDZBTR",體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

項(xiàng)目 記 號(hào) CM200S 條 件
頻率 f_nom 32.768KHZ  
頻率容許偏差 f_tol ±20x10−6, ±50x10−6  
頂點(diǎn)溫度 Ti +25±5°C  
二級(jí)溫度系數(shù) B (−3.5±1.0)x10−8/°C2  
負(fù)載容量 CL 7.0pF/9.0pF/12.5pF  
串聯(lián)電阻 R1 65kÙ 最大值  
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) DLmax. 1μW  
推薦激勵(lì)等級(jí) DL 0.1μW  
并聯(lián)電容 C0 0.8pF 典型值  
頻率老化程度 f_age ±3x10-6 +25±3°C，第一年
工作溫度范圍 T_use -40°C～+85°C  
保存溫度范圍 T_stg -55°C～+125°C 單件保管




       "CM200S32.768KDZBTR", 西鐵城晶振在產(chǎn)品應(yīng)用中頻率偏差超過(guò)要求怎么辦呢？
         我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法：
         調(diào)整外部電容,Cd和CG的值.如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值）,以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然.
         可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶體試用.試用晶體具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話.請(qǐng)檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后.根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容,并采用低電容的晶體）的情況.
        2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、"CM200S32.768KDZBTR",持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證. 
             勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國(guó)及企業(yè)關(guān)注焦點(diǎn),如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保工作場(chǎng)所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是希華晶體努力的方向,公司于2008年12月通過(guò)OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗(yàn)證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境.
聯(lián)系人：黃娜
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