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更多>>津綻晶振,NAOH-53晶振,臺(tái)灣進(jìn)口石英晶體振蕩器
津綻晶振,NAOH-53晶振,石英晶體振蕩器小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),TXC晶振速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
型號(hào) | NAOH-53 |
頻率范圍 | 1.000~125.000MHZ |
頻率穩(wěn)定度 |
A:±100 B:±50 C: ±30 D: ±25 |
輸出電平 |
CMOS |
操作溫度范圍內(nèi) |
0~70,-40~85 |
儲(chǔ)存溫度范圍 |
55~125 |
負(fù)載電容 | 15pF |
電源電壓 | 5.0V±10%/3.3V±10%/2.8V±5%/2.5V±5%/1.8V±5% |
輸出對(duì)稱 |
40% ~ 60% or 45% ~ 55%(at 55%V DC) |
開(kāi)車(chē)水平 |
1uW ~ 100uW or special |
老化率 |
±3ppm/year |
晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).臺(tái)灣NSK諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國(guó)家的法律,并符合國(guó)際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司.我們將持續(xù)關(guān)注企業(yè)社會(huì)責(zé)任各項(xiàng)新議題,使本公司更加完整并落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任所有面向。
由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶體應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本,保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大。
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