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首頁(yè)進(jìn)口晶振VG-4512CA進(jìn)口貼片晶振,深圳愛(ài)普生晶振代理,晶振批量?jī)r(jià)格,VG-4512CA 125.0000M-GGCT0

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  • 頻率：80~200MHZ
  • 尺寸：5X7mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
  • 應(yīng)　用： 貼片晶振,"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0"石英晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
  • RoHS RoHS2

              VG-4512CA進(jìn)口貼片晶振,深圳愛(ài)普生晶振代理,晶振批量?jī)r(jià)格，"VG-4512CA 125.0000M-GGCT0",貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
項(xiàng)目
記 號(hào)
 VG-4512CA
條 件
頻率
f_nom
80~200MHZ
 
頻率容許偏差
f_tol
±20x10−6, ±50x10−6
 
頂點(diǎn)溫度
Ti
+25±5°C
 
二級(jí)溫度系數(shù)
B
(−3.5±1.0)x10−8/°C2
 
負(fù)載容量
CL
7.0pF/9.0pF/12.5pF
 
串聯(lián)電阻
R1
65kÙ 最大值
 
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí)
DLmax.
1μW
 
推薦激勵(lì)等級(jí)
DL
0.1μW
 
并聯(lián)電容
C0
0.8pF 典型值
 
頻率老化程度
f_age
±3x10-6
+25±3°C，第一年
工作溫度范圍
T_use
-20°C～+70°C
 
保存溫度范圍
T_stg
-55°C～+125°C
單件保管


         "VG-4512CA 125.0000M-GGCT0",一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.Rd為限流電阻470Ω與1KΩ.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.一個(gè)穩(wěn)定的石英晶體振蕩器振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶體阻力的至少五倍.它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr.
         例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶體的電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.

           "VG-4512CA 125.0000M-GGCT0", 愛(ài)普生科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.并不斷透過(guò)教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識(shí),藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶(hù)需求,獲得客戶(hù)的信賴(lài)而努力.
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