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首頁晶振行業(yè)動(dòng)態(tài) SILICON晶振廣泛的尖端系統(tǒng)級芯片(SoC)和模塊產(chǎn)品組合

SILICON晶振廣泛的尖端系統(tǒng)級芯片(SoC)和模塊產(chǎn)品組合

來源:http://eitherspanlaw.com 作者:億金電子 2022年05月17
    公司對客戶的承諾以及我們?nèi)蚣s 550 名員工的奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。這種方法為我們提供了競爭優(yōu)勢,這種優(yōu)勢將持續(xù)到未來。我們已經(jīng)明確定義了我們的管理、環(huán)境和社會責(zé)任行為原則。我們位于瑞士和泰國的生產(chǎn)工廠已通過 ISO 9001(質(zhì)量)和 ISO 14001(環(huán)境)和 IATF 16949(汽車)認(rèn)證。微晶晶振所有的產(chǎn)品都滿足必要的要求,如 RoHS、REACH 等。低頻音叉晶體需要在真空下工作,因此需要密封封裝。所有產(chǎn)品均符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且 100% 無鉛。
510BBA156M250BAGR Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAGR Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAGR Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA125M000BAG Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA100M000AAG Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
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511ABA156M250AAG Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000BAG Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
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531BB125M000DG Si531 125MHz 3.3V ±20ppm
530BB125M000DG Si530 125MHz 3.3V ±20ppm
531FB200M000DG Si531 200MHz 2.5V ±20ppm
530FB200M000DG Si530 200MHz 2.5V ±20ppm
530BC156M250DG Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC250M000DG Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
511BBA100M000BAG Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000BAG Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000BAG Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA200M000BAG Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000AAG Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAG Si511 25MHz 3.3V ±25ppm

    隨著全球經(jīng)濟(jì)的持續(xù)好轉(zhuǎn),我們注意到電子產(chǎn)品的消費(fèi)支出在逐漸增長,而這其中有許多產(chǎn)品在中國生產(chǎn)。我們也注意到中國的電子產(chǎn)業(yè)正在迅速多樣化發(fā)展,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了其傳統(tǒng)的消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域,越來越多的跨國公司和中國企業(yè)正在為通信和嵌入式市場進(jìn)行電子設(shè)計(jì)。這些公司不僅在中國制造產(chǎn)品,而且也運(yùn)用中國工程師的才能為各種終端應(yīng)用進(jìn)行新產(chǎn)品設(shè)計(jì)。正是這些市場驅(qū)動(dòng)力推動(dòng)了中國客戶對晶體振蕩器的需求。

511FCA100M000BAG Si511 100MHz 2.5V ±20ppm
511BCA100M000BAG Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
530BA125M000DG Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
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530FC156M250DG Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA156M250BAG Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
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510FBA200M000BAG Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250AAGR Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250AAGR Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
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511FBA100M000BAG Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm

    消費(fèi)電子市場持續(xù)不斷的快速增長帶動(dòng)大批量石英晶體振蕩器的需求,而針對通信和嵌入式應(yīng)用盡管現(xiàn)在數(shù)量還比較少,但我們也期望能有更多增長。振蕩器通常用于各種消費(fèi)類應(yīng)用,包括智能手機(jī)、液晶電視、DVD播放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī),以及平板電腦。在通信應(yīng)用中,我們認(rèn)為中國在以太網(wǎng)無源光網(wǎng)絡(luò)(EPON)應(yīng)用中將有更多的晶體振蕩器需求,而我們產(chǎn)品中的許多是專為中國市場而設(shè)計(jì)。隨著中國新興中產(chǎn)階級的不斷擴(kuò)大,購買力持續(xù)增長,我們認(rèn)為針對中國本地設(shè)計(jì)和制造的電子產(chǎn)品需求將顯著增長。

510BBA156M250AAG Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
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536BB156M250DG Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
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511BBA000149BAG Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
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511FBA100M000AAG Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm

    Silicon Labs為通信和嵌入式市場主要提供高性能的晶體振蕩器(XO)和壓控晶體振蕩器(VCXO晶振)系列產(chǎn)品。這些產(chǎn)品為客戶帶來多種特有優(yōu)勢:首先,Silicon Labs采用批量定制和短周期交付商業(yè)模式提供XO/VCXO。任意頻率的XO/VCXO能夠進(jìn)行工廠定制并在2周內(nèi)交貨(針對樣片)和4周交貨(針對產(chǎn)品訂單)。

511FBA148M500BAG Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531FC125M000DG Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC156M250DG Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
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531FC148M500DG Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DG Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
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531FC200M000DG Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
530BC148M500DG Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
536EB156M250DG Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536BB125M000DG Si536 125MHz 3.3V ±20ppm

    傳統(tǒng)的振蕩器要求采用機(jī)械密集的工藝去切割石英晶體以產(chǎn)生特定頻率的諧振。而對于大于125MHz的頻率,傳統(tǒng)工藝對生產(chǎn)過程較敏感,導(dǎo)致產(chǎn)品成本和交貨時(shí)間增長 — 大約要14-16周。Silicon Labs改變了振蕩器制造模式,可從單一的、具有成本效益的晶振和定制的CMOS IC生成任意的輸出頻率。例如近期推出的Si5350/51單芯片8路輸出VCXO時(shí)鐘發(fā)生器,在靈活性,抖動(dòng)性以及功耗方面有了很大的提升,其性能優(yōu)于4-PLL時(shí)鐘,而且無需級聯(lián)PLL和多余分立元件,通過專有的MutiSynth技術(shù)可輸出8個(gè)任意頻率,非常適合用于需要多個(gè)頻率支持的器件。

531AC622M080DG Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC312M500DG Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
510ABA000149BAG Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAG Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAG Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA106M250BAG Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
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511ABA000149BAG Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
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510FBA74M2500AAG Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA74M2500AAG Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA106M250AAG Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000149AAG Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA74M2500AAG Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500AAG Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm

    Silicon Labs所有的XO/ VCXO都提供小于1ps RMS的相位抖動(dòng)特性,這使他們能夠用于高速串行應(yīng)用,如千兆以太網(wǎng)(Gigabit Ethernet)、萬兆以太網(wǎng)(10GbE)、光纖通道(Fibre Channel)、廣播視頻(HD SDI)、SONET/SDH、光傳輸網(wǎng)絡(luò)(OTN)、無源光網(wǎng)絡(luò)(PON)、通用公共無線電接口(CPRI)和PCI Express Gen1/Gen2/Gen3。 Silicon Labs的Si5xx XO/ VCXO還提供了板上電壓調(diào)節(jié),大大減少了板級電源噪聲對時(shí)鐘抖動(dòng)的增加。 Silicon Labs還提供單頻率和多頻率輸出振蕩器,包括I2C編程的XO(Si514、Si598、Si570)和VCXO(Si599、Si571),極大地提高了頻率靈活性,而且通過消除多個(gè)分立XO/VCXO簡化了多速率時(shí)鐘發(fā)生器應(yīng)用??傊?,這些益處使得Si5xx XO/VCXO成為FPGA應(yīng)用的理想時(shí)鐘源。

510FBA106M250AAG Si510 106.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149AAG Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA155M520BAG Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520BAG Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520BAG Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110BAG Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000110BAG Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500BAG Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511ABA155M520BAG Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000110BAG Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
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510FBA155M520AAG Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110AAG Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000110AAG Si510 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520AAG Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA155M520AAG Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500AAG Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500AAG Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511FBA156M250AAG Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510FBA212M500BAG Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511FBA212M500BAG Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500BAG Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000BAG Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
510ABA212M500AAG Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500AAG Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500AAG Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA200M000AAG Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500AAG Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510EBA125M000AAG Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
510ACA47M2500AAG Si510 47.25MHz 3.3V ±20ppm
530AC106M250DG Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC106M250DG Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC106M250DG Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC106M250DG Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm

    另外,在3月中旬,Silicon Labs公司將推出針對小于250MHz時(shí)鐘應(yīng)用的Si51x XO/VCXO系列產(chǎn)品。新的振蕩器系列產(chǎn)品包括單頻、雙頻和I2C編程的頻率器件,支持100kHz-250MHz任意輸出頻率。該系列產(chǎn)品還支持所有常用的信號格式(LVPECL、LVDS、HCSL和CMOS)和電源電壓(1.8V、2.5V和3.3V)。這些器件采用5mm x7mm和3.2mm x 5mm標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝,與傳統(tǒng)的XO/ VCXO相比具有更高的頻率靈活性、更低的抖動(dòng)特性、更好的電源噪聲抑制和更低的功耗。 

530FC106M250DG Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530BC106M250DG Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC187M500DG Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC155M520DG Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC155M520DG Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC187M500DG Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC187M500DG Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
531EC187M500DG Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DG Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DG Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DG Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DG Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC000110DG Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC148M500DG Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC155M520DG Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530EC156M250DG Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DG Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
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530FC187M500DG Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
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