首頁晶振行業(yè)動態(tài) STATEK晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品的處理指南
STATEK晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品的處理指南
來源:http://eitherspanlaw.com 作者:億金電子 2022年06月07
介紹
TC-12.000MBD-T,TD-12.000MBD-T,TD-4.096MBD-T.為了保護和確保可焊性,Statek晶振建議將我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品儲存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
本文檔提供了在客戶所在地處理晶體或晶體振蕩器產(chǎn)品的指南。它涵蓋了從在客戶碼頭收到產(chǎn)品并存儲在客戶貨架上的產(chǎn)品處理,通過從裝運箱中取出、電路板焊接和分板/分割,以及在客戶的最終產(chǎn)品中安裝到客戶的電路板上。
盡管本技術(shù)說明為所有晶體和晶體振蕩器設(shè)備提供了處理指南,但Statek晶體和晶體振蕩器的設(shè)計和制造堅固耐用,在遭受錯誤處理時應(yīng)該優(yōu)于行業(yè)中的平均晶體和晶體振蕩器。
所有晶體和晶體振蕩器的一般處理指南
晶體和振蕩器產(chǎn)品的設(shè)計和制造能夠承受一定的沖擊水平。這些級別在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表的“規(guī)格”部分中進行了說明。由于處理或制造過程步驟而超過這些沖擊水平可能會導(dǎo)致設(shè)備的電氣特性發(fā)生變化和/或?qū)嶋H損壞。
為了保護和確??珊感?,Statek建議將我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品儲存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
一些客戶報告說,對晶體進行超聲波清洗會損壞晶體,或者在極端情況下會導(dǎo)致晶體破裂。這種損壞或破損可能發(fā)生在低頻和高頻晶體中。因此,我們建議客戶在對我們的設(shè)備進行超聲波清洗時要小心,并首先嘗試驗證這樣的清洗過程不會損壞設(shè)備。
如果使用自動組裝機或拾放機將零件從托盤或卷軸上放置到板上,建議調(diào)整機器臂的速度,并且機器正確對減速和設(shè)備高度進行編程,以免在放置零件時由于頭部的沖擊而損壞零件。使用柔軟或橡膠包覆的尖端也有助于消除對設(shè)備的任何損壞。
處理所有晶體和晶體振蕩器的印刷線路板
在電路板制造/焊接過程中,應(yīng)盡量減少任何電路板剪切、彎曲、扭曲、振動或類似力,以降低損壞設(shè)備的風(fēng)險。
如果PC板面板包含超過一定數(shù)量的板(例如,25到30個板),則任何此類問題都可能會加劇。由于板填充過程引入到板的部分力被傳遞到板上的所有板,在每個板有大量板的情況下,累積振動效應(yīng)轉(zhuǎn)移到板上的最后幾塊板可能被證明是過度的。
TC-12.000MBD-T,TD-12.000MBD-T,TD-4.096MBD-T.為了保護和確保可焊性,Statek晶振建議將我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品儲存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
本文檔提供了在客戶所在地處理晶體或晶體振蕩器產(chǎn)品的指南。它涵蓋了從在客戶碼頭收到產(chǎn)品并存儲在客戶貨架上的產(chǎn)品處理,通過從裝運箱中取出、電路板焊接和分板/分割,以及在客戶的最終產(chǎn)品中安裝到客戶的電路板上。
7XZ-32.768KDA-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
7XZ-32.768KDA-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
7XZ-32.768KDA-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
7XZ-32.768KDE-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±50ppm |
7XZ-32.768KDE-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±50ppm |
7XZ-32.768KDE-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±50ppm |
7W-8.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 8MHz | ±50ppm |
7W-8.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 8MHz | ±50ppm |
7W-8.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 8MHz | ±50ppm |
7W-50.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±50ppm |
7W-50.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±50ppm |
7W-50.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±50ppm |
7W-50.000MBA-T | TXC晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±25ppm |
7W-50.000MBA-T | TXC晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±25ppm |
7W-50.000MBA-T | TXC晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±25ppm |
AU-26.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 26MHz | ±50ppm |
AU-26.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 26MHz | ±50ppm |
AU-26.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 26MHz | ±50ppm |
7C-40.000MBA-T | TXC晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±25ppm |
7C-40.000MBA-T | TXC晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±25ppm |
7C-40.000MBA-T | TXC晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±25ppm |
7Z-38.400MBG-T | TXC晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
7Z-38.400MBG-T | TXC晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
7Z-38.400MBG-T | TXC晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
6U-16.384MBE-T | TXC晶振 | 6U | VCXO | 16.384MHz | ±50ppm |
6U-16.384MBE-T | TXC晶振 | 6U | VCXO | 16.384MHz | ±50ppm |
6U-16.384MBE-T | TXC晶振 | 6U | VCXO | 16.384MHz | ±50ppm |
BF-125.000MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 125MHz | ±50ppm |
BF-125.000MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 125MHz | ±50ppm |
BF-125.000MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 125MHz | ±50ppm |
BF-100.000MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 100MHz | ±50ppm |
BF-100.000MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 100MHz | ±50ppm |
BF-100.000MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 100MHz | ±50ppm |
BX-100.000MBE-T | TXC晶振 | BX | XO | 100MHz | ±50ppm |
BX-100.000MBE-T | TXC晶振 | BX | XO | 100MHz | ±50ppm |
BX-100.000MBE-T | TXC晶振 | BX | XO | 100MHz | ±50ppm |
CX-100.000MBE-T | TXC晶振 | CX | XO | 100MHz | ±50ppm |
CX-100.000MBE-T | TXC晶振 | CX | XO | 100MHz | ±50ppm |
CX-100.000MBE-T | TXC晶振 | CX | XO | 100MHz | ±50ppm |
7XZ-32.768KBA-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
7XZ-32.768KBA-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
7XZ-32.768KBA-T | TXC晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
7W-25.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 25MHz | ±50ppm |
7W-25.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 25MHz | ±50ppm |
7W-25.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 25MHz | ±50ppm |
7W-48.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 48MHz | ±50ppm |
7W-48.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 48MHz | ±50ppm |
7W-48.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 48MHz | ±50ppm |
7X-19.200MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
7X-19.200MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
7X-19.200MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
7X-30.000MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
7X-30.000MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
7X-30.000MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
AW-11.2896MBE-T | TXC晶振 | AW | XO | 11.2896MHz | ±50ppm |
AW-11.2896MBE-T | TXC晶振 | AW | XO | 11.2896MHz | ±50ppm |
AW-11.2896MBE-T | TXC晶振 | AW | XO | 11.2896MHz | ±50ppm |
AU-50.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 50MHz | ±50ppm |
晶體和振蕩器產(chǎn)品的設(shè)計和制造能夠承受一定的沖擊水平。這些級別在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表的“規(guī)格”部分中進行了說明。由于處理或制造過程步驟而超過這些沖擊水平可能會導(dǎo)致設(shè)備的電氣特性發(fā)生變化和/或?qū)嶋H損壞。
AU-50.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 50MHz | ±50ppm |
AU-50.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 50MHz | ±50ppm |
7X-38.400MBA-T | TXC晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±25ppm |
7X-38.400MBA-T | TXC晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±25ppm |
7X-38.400MBA-T | TXC晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±25ppm |
8W-12.000MBA-T | TXC晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±25ppm |
8W-12.000MBA-T | TXC晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±25ppm |
8W-12.000MBA-T | TXC晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±25ppm |
BB-125.000MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 125MHz | ±50ppm |
BB-125.000MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 125MHz | ±50ppm |
BB-125.000MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 125MHz | ±50ppm |
7W-4.096MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±50ppm |
7W-4.096MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±50ppm |
7W-4.096MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±50ppm |
7W-40.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 40MHz | ±50ppm |
7W-40.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 40MHz | ±50ppm |
7W-40.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 40MHz | ±50ppm |
7C-26.000MBB-T | TXC晶振 | 7C | XO | 26MHz | ±50ppm |
7C-26.000MBB-T | TXC晶振 | 7C | XO | 26MHz | ±50ppm |
7C-26.000MBB-T | TXC晶振 | 7C | XO | 26MHz | ±50ppm |
7C-40.000MCB-T | TXC晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±50ppm |
7C-40.000MCB-T | TXC晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±50ppm |
7C-40.000MCB-T | TXC晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±50ppm |
7W-66.6666MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 66.6666MHz | ±50ppm |
7W-66.6666MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 66.6666MHz | ±50ppm |
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7W-24.576MBA-T | TXC晶振 | 7W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
7W-24.576MBA-T | TXC晶振 | 7W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
7W-24.576MBA-T | TXC晶振 | 7W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
7X-19.200MBA-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
一些客戶報告說,對晶體進行超聲波清洗會損壞晶體,或者在極端情況下會導(dǎo)致晶體破裂。這種損壞或破損可能發(fā)生在低頻和高頻晶體中。因此,我們建議客戶在對我們的設(shè)備進行超聲波清洗時要小心,并首先嘗試驗證這樣的清洗過程不會損壞設(shè)備。
7X-19.200MBA-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
7X-19.200MBA-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
BB-161.1328MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 161.1328MHz | ±50ppm |
BB-161.1328MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 161.1328MHz | ±50ppm |
BB-161.1328MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 161.1328MHz | ±50ppm |
7X-20.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
7X-20.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
7X-20.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
7X-20.000MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
7X-20.000MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
7X-20.000MBB-T | TXC晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
AU-33.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 33MHz | ±50ppm |
AU-33.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 33MHz | ±50ppm |
AU-33.000MBE-T | TXC晶振 | AU | XO | 33MHz | ±50ppm |
7WA2572007 | TXC晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
7WA2572007 | TXC晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
7WA2572007 | TXC晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
6U-32.768MBE-T | TXC晶振 | 6U | VCXO | 32.768MHz | ±50ppm |
6U-32.768MBE-T | TXC晶振 | 6U | VCXO | 32.768MHz | ±50ppm |
6U-32.768MBE-T | TXC晶振 | 6U | VCXO | 32.768MHz | ±50ppm |
BF-62.500MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 62.5MHz | ±50ppm |
BF-62.500MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 62.5MHz | ±50ppm |
BF-62.500MBE-T | TXC晶振 | BF | XO | 62.5MHz | ±50ppm |
BB-150.000MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 150MHz | ±50ppm |
BB-150.000MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 150MHz | ±50ppm |
BB-150.000MBE-T | TXC晶振 | BB | XO | 150MHz | ±50ppm |
BR-61.4400MBE-T | TXC晶振 | BR | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
BR-61.4400MBE-T | TXC晶振 | BR | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
BR-61.4400MBE-T | TXC晶振 | BR | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
7N-12.800MBP-T | TXC晶振 | 7N | TCXO | 12.8MHz | ±280ppb |
7N-12.800MBP-T | TXC晶振 | 7N | TCXO | 12.8MHz | ±280ppb |
7N-12.800MBP-T | TXC晶振 | 7N | TCXO | 12.8MHz | ±280ppb |
7N-26.000MBP-T | TXC晶振 | 7N | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
7N-26.000MBP-T | TXC晶振 | 7N | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
7N-26.000MBP-T | TXC晶振 | 7N | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
TC-3.6864MBD-T | TXC晶振 | TC | MEMS | 3.6864MHz | ±25ppm |
TC-3.6864MBD-T | TXC晶振 | TC | MEMS | 3.6864MHz | ±25ppm |
TC-3.6864MBD-T | TXC晶振 | TC | MEMS | 3.6864MHz | ±25ppm |
TC-70.000MBD-T | TXC晶振 | TC | MEMS | 70MHz | ±25ppm |
TC-70.000MBD-T | TXC晶振 | TC | MEMS | 70MHz | ±25ppm |
TC-70.000MBD-T | TXC晶振 | TC | MEMS | 70MHz | ±25ppm |
TD-19.200MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 19.2MHz | ±25ppm |
TD-19.200MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 19.2MHz | ±25ppm |
TD-19.200MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 19.2MHz | ±25ppm |
TD-3.6864MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 3.6864MHz | ±25ppm |
TD-3.6864MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 3.6864MHz | ±25ppm |
TD-3.6864MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 3.6864MHz | ±25ppm |
TD-64.000MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 64MHz | ±25ppm |
TD-64.000MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 64MHz | ±25ppm |
TD-64.000MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 64MHz | ±25ppm |
TD-7.3728MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 7.3728MHz | ±25ppm |
TD-7.3728MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 7.3728MHz | ±25ppm |
TD-7.3728MBD-T | TXC晶振 | TD | MEMS | 7.3728MHz | ±25ppm |
7W-32.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 32MHz | ±50ppm |
7W-32.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 32MHz | ±50ppm |
在電路板制造/焊接過程中,應(yīng)盡量減少任何電路板剪切、彎曲、扭曲、振動或類似力,以降低損壞設(shè)備的風(fēng)險。
7W-32.000MBB-T | TXC晶振 | 7W | XO | 32MHz | ±50ppm |
7X-19.200MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
7X-19.200MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
7X-19.200MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
8W-26.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 26MHz | ±50ppm |
8W-26.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 26MHz | ±50ppm |
8W-26.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 26MHz | ±50ppm |
7X-30.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
7X-30.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
7X-30.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
7X-25.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 25MHz | ±50ppm |
7X-25.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 25MHz | ±50ppm |
7X-25.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 25MHz | ±50ppm |
7X-38.400MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±50ppm |
7X-38.400MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±50ppm |
7X-38.400MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±50ppm |
7X-48.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 48MHz | ±50ppm |
7X-48.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 48MHz | ±50ppm |
7X-48.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 48MHz | ±50ppm |
8W-20.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 20MHz | ±50ppm |
8W-20.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 20MHz | ±50ppm |
8W-20.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 20MHz | ±50ppm |
8W-13.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 13MHz | ±50ppm |
8W-13.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 13MHz | ±50ppm |
8W-13.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 13MHz | ±50ppm |
7X-50.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 50MHz | ±50ppm |
7X-50.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 50MHz | ±50ppm |
7X-50.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 50MHz | ±50ppm |
8W-24.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 24MHz | ±50ppm |
8W-24.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 24MHz | ±50ppm |
8W-24.000MBE-T | TXC晶振 | 8W | XO | 24MHz | ±50ppm |
7X-26.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 26MHz | ±50ppm |
7X-26.000MBE-T | TXC晶振 | 7X | XO | 26MHz | ±50ppm |
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