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陶瓷晶振的參數(shù)應(yīng)用最詳細(xì)的說(shuō)明

來(lái)源:http://eitherspanlaw.com 作者:億金電子 2018年05月02

陶瓷諧振器也就是我們常說(shuō)的陶瓷晶振,石英晶振,石英晶體振蕩器與陶瓷晶振相比體積更小,無(wú)需調(diào)整,起振時(shí)間更快速,成本相對(duì)更低.下面億金電子給大家介紹陶瓷晶振各項(xiàng)參數(shù)的應(yīng)用說(shuō)明.

封裝:陶瓷諧振器帶有標(biāo)準(zhǔn)的單列直插式封裝(ZTA,ZTB和ZTT),或者帶有內(nèi)置電容器的3引腳(ZTTS,ZTTCV).

性質(zhì):瓷諧振器的振蕩取決于與其壓電石英晶體結(jié)構(gòu)相關(guān)的機(jī)械諧振.這些材料(通常是鈦酸鋇或鋯鈦酸鉛)具有較大的偶極子運(yùn)動(dòng),這通過(guò)施加的電場(chǎng)引起晶體的變形或生長(zhǎng).

晶振頻率范圍:可用頻率范圍從190kHz到50MHz不等.

頻率穩(wěn)定度:在溫度范圍內(nèi)(即-20oC至+80oC),與25o C的測(cè)量頻率相比,最大允許頻率偏差.典型的穩(wěn)定性為±0.3%(±3000ppm).

頻率允差:室溫下允許的額定頻率偏差.頻率容差以百分比表示,典型值為±0.5%或百萬(wàn)分率(ppm),±5000ppm.

諧振阻抗:石英晶振在工作諧振電路中的阻抗值.

老化:相對(duì)頻率在一段時(shí)間內(nèi)發(fā)生變化.這種頻率變化率通常是指數(shù)性的.通常情況下,10年內(nèi)的老化率為±0.5%.

負(fù)載電容:負(fù)載電容(CL)是通過(guò)兩個(gè)諧振器端子查看電路時(shí)振蕩器所表現(xiàn)的電容量.負(fù)載電容用一對(duì)C1和C2表示,默認(rèn)值見表格.

等效電路:它的等效電路類似于石英晶體等效電路,即由并聯(lián)CO電容并聯(lián)的串聯(lián)L1,C1,R1電路組成.標(biāo)準(zhǔn)ZTAS-MG-4.00MHz的典型參數(shù)如下:L-330uH,Cl-5pF,C0-40pF和Q~900. 

陶瓷等效電路

瓷晶振的測(cè)試電路陶瓷諧振器:內(nèi)置電容器:它由一個(gè)CMOS反相器和一個(gè)反饋電阻Rf組成(圖2).反饋電阻允許開始施加電源時(shí)啟動(dòng)振蕩.其值通常為1MΩ.C1和C2的值在表格中給出或由客戶指定.

陶瓷晶振電阻

陶瓷諧振器主要用作許多微處理器的時(shí)鐘信號(hào)源,其中嚴(yán)格的頻率穩(wěn)定性不是主要問(wèn)題.陶瓷諧振器成本低,內(nèi)置電容,節(jié)省空間.陶瓷諧振器主要用于消費(fèi)電子應(yīng)用(電視機(jī),錄像機(jī),游戲機(jī),收音機(jī))和家用電器.

陶振應(yīng)用

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