首頁晶振行業(yè)動態(tài) Vectron晶振和Microsemi晶振結(jié)合了高性能精密振蕩器和時序卡PLL
Vectron晶振和Microsemi晶振結(jié)合了高性能精密振蕩器和時序卡PLL
來源：http://eitherspanlaw.com 作者：zjh 2022年05月30
Vectron晶振是設(shè)計和制造用于通信、工業(yè)、軍事和空間應(yīng)用的精密振蕩器和定時解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，以及半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Microsemi Corporation。Vectron晶振宣布的精密振蕩器將支持Microsemi的計時卡鎖相環(huán)(PLL)解決方案。
Vectron晶振的精密TCXOTX–500將與Microsemi的ZL30622單通道超低抖動網(wǎng)絡(luò)同步器配對。三輸入三輸出任意頻率時序卡PLL具有一個集成的數(shù)字鎖相環(huán)，具有從0.1Hz到500Hz的可編程環(huán)路帶寬。TX–500和ZL30622一起將完全符合ITU–TG.813和G.8262，滿足客戶嚴(yán)格的保留要求。
“我們很高興與Microsemi合作，”Vectron晶振精密振蕩器產(chǎn)品組的總經(jīng)理說。“Microsemi的計時解決方案正在解決當(dāng)今網(wǎng)絡(luò)面臨的計時和同步挑戰(zhàn)。與Microsemi的合作使兩家公司能夠為我們的客戶提供完全合規(guī)和合格的計時解決方案，從而節(jié)省工程開發(fā)時間和資格測試。”
“我們的客戶依靠我們在計時和同步方面的經(jīng)驗和專業(yè)知識來提供經(jīng)過驗證的、符合標(biāo)準(zhǔn)的計時解決方案。與像Vectron晶振這樣的公司合作為Microsemi帶來了巨大的價值，因為它使我們能夠提供完整的G.813和G.8262兼容的解決方案，并進一步增強了我們提供的多樣化產(chǎn)品，”Microsemi計時產(chǎn)品副總裁兼業(yè)務(wù)部門經(jīng)理說。“這種合作不僅有助于為我們的客戶提供標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)保證，而且還允許他們通過實施滿足最嚴(yán)格時序要求的解決方案來縮短上市時間。”
關(guān)于威創(chuàng)國際
Vectron International在頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計、制造和營銷方面處于世界領(lǐng)先地位。Vectron晶振通過提供可加快上市時間并提供較低總擁有成本的定制解決方案來解決復(fù)雜的時序、濾波和傳感器挑戰(zhàn)。Vectron晶振致力于行業(yè)最高質(zhì)量的服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)和完全的滿意度，利用其全球足跡和50年的經(jīng)驗幫助客戶實現(xiàn)競爭差異化并提高他們的底線。Vectron晶振總部位于新罕布什爾州哈德遜，在北美、歐洲和亞洲設(shè)有運營設(shè)施和銷售辦事處。欲了解更多信息，請訪問eitherspanlaw.com
關(guān)于Microsemi
Microsemi Corporation為通信、國防與安全、航空航天和工業(yè)市場提供全面的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案組合。產(chǎn)品包括高性能和抗輻射的模擬混合信號集成電路、FPGA、SoC和ASIC；電源管理產(chǎn)品；計時和同步設(shè)備和精確的時間解決方案，設(shè)定世界時間標(biāo)準(zhǔn)；語音處理設(shè)備；射頻解決方案；分立元件；安全技術(shù)和可擴展的防篡改產(chǎn)品；以太網(wǎng)解決方案；以太網(wǎng)供電IC和中跨；以及定制設(shè)計能力和服務(wù)。Microsemi總部位于加利福尼亞州Aliso Viejo，在全球擁有約3,600名員工。訪問eitherspanlaw.com了解更多信息
Microsemi和Microsemi徽標(biāo)是Microsemi Corporation和/或其附屬公司的注冊商標(biāo)或服務(wù)標(biāo)志。此處提及的第三方商標(biāo)和服務(wù)標(biāo)志是其各自所有者的財產(chǎn)。
1995年《私人證券訴訟改革法案》下的“安全港”聲明：本新聞稿中提出的任何不完全是歷史和事實的聲明，包括但不限于與Vectron晶振和Microsemi相關(guān)的聲明，宣布Vectron晶振的精密振蕩器將支持Microsemi的計時卡PLL解決方案及其對未來業(yè)務(wù)的潛在影響是前瞻性陳述。這些前瞻性陳述基于我們當(dāng)前的預(yù)期，并且固有地受到可能導(dǎo)致實際結(jié)果與前瞻性陳述中表達(dá)的結(jié)果大不相同的風(fēng)險和不確定性的影響。潛在風(fēng)險和不確定性包括但不限于快速變化的技術(shù)和產(chǎn)品過時、潛在成本增加、客戶訂單偏好的變化、市場的弱點或競爭性定價環(huán)境、對公司產(chǎn)品的不確定性需求和接受度等因素。產(chǎn)品、我們?nèi)魏谓K端市場的不利情況、進行中或計劃中的開發(fā)或營銷和促銷活動的結(jié)果、困難
| TC-36.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 36MHz | ±25ppm |
| TC-36.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 36MHz | ±25ppm |
| TC-36.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 36MHz | ±25ppm |
| TC-16.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 16MHz | ±25ppm |
| TC-16.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 16MHz | ±25ppm |
| TC-16.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 16MHz | ±25ppm |
| TC-22.5792MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 22.5792MHz | ±25ppm |
| TC-22.5792MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 22.5792MHz | ±25ppm |
| TC-22.5792MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 22.5792MHz | ±25ppm |
| TD-24.000MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 24MHz | ±25ppm |
| TD-24.000MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 24MHz | ±25ppm |
| TD-24.000MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 24MHz | ±25ppm |
| TD-1.8432MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 1.8432MHz | ±25ppm |
| TD-1.8432MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 1.8432MHz | ±25ppm |
| TD-1.8432MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 1.8432MHz | ±25ppm |
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| TC-64.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 64MHz | ±25ppm |
| TC-64.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 64MHz | ±25ppm |
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| TC-25.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 25MHz | ±25ppm |
| TC-25.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 25MHz | ±25ppm |
| TC-1.8432MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 1.8432MHz | ±25ppm |
| TC-1.8432MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 1.8432MHz | ±25ppm |
| TC-1.8432MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 1.8432MHz | ±25ppm |
| TD-22.5792MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 22.5792MHz | ±25ppm |
| TD-22.5792MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 22.5792MHz | ±25ppm |
| TD-22.5792MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 22.5792MHz | ±25ppm |
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| 7C-50.000MBE-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 50MHz | ±50ppm |
| 7C-50.000MBE-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 50MHz | ±50ppm |
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| 7WZ-32.768KBD-T | TXC 晶振 | 7WZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
| 7WZ-32.768KBD-T | TXC 晶振 | 7WZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
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| 7W-8.192MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 8.192MHz | ±50ppm |
| 7W-8.192MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 8.192MHz | ±50ppm |
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| 7W-4.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 4MHz | ±50ppm |
| 7W-4.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 4MHz | ±50ppm |
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| 7L-16.368MCG-T | TXC 晶振 | 7L | TCXO | 16.368MHz | ±500ppb |
| 7L-16.368MCG-T | TXC 晶振 | 7L | TCXO | 16.368MHz | ±500ppb |
| TC-125.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 125MHz | ±25ppm |
| TC-125.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 125MHz | ±25ppm |
| TC-125.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 125MHz | ±25ppm |
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| 7C-25.000MCB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 25MHz | ±50ppm |
| 7C-25.000MCB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 25MHz | ±50ppm |
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| 7Q-40.000MBS-T | TXC 晶振 | 7Q | VCTCXO | 40MHz | ±2ppm |
| 7Q-40.000MBS-T | TXC 晶振 | 7Q | VCTCXO | 40MHz | ±2ppm |
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| 7W-4.096MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±25ppm |
| 7W-4.096MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±25ppm |
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| 7W-12.288MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 12.288MHz | ±25ppm |
| 7W-12.288MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 12.288MHz | ±25ppm |
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| 7W-10.000MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 10MHz | ±25ppm |
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| AC-4.000MAE-T | TXC 晶振 | AC | XO | 4MHz | ±50ppm |
| AC-4.000MAE-T | TXC 晶振 | AC | XO | 4MHz | ±50ppm |
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| 7X-12.000MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 12MHz | ±50ppm |
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| AU-14.31818MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 14.31818MHz | ±50ppm |
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| AU-48.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 48MHz | ±50ppm |
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| AU-12.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 12MHz | ±50ppm |
| AU-12.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 12MHz | ±50ppm |
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| AU-12.288MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 12.288MHz | ±50ppm |
| AU-12.288MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 12.288MHz | ±50ppm |
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| AU-25.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 25MHz | ±50ppm |
| AU-25.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 25MHz | ±50ppm |
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| AU-27.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 27MHz | ±50ppm |
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| 7X-48.000MBA-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 48MHz | ±25ppm |
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| 7L-19.200MCS-T | TXC 晶振 | 7L | VCTCXO | 19.2MHz | ±2ppm |
| 7L-19.200MCS-T | TXC 晶振 | 7L | VCTCXO | 19.2MHz | ±2ppm |
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| 7Q-16.368MBG-T | TXC 晶振 | 7Q | TCXO | 16.368MHz | ±500ppb |
| 7Q-16.368MBG-T | TXC 晶振 | 7Q | TCXO | 16.368MHz | ±500ppb |
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| 7Q-16.369MBG-T | TXC 晶振 | 7Q | TCXO | 16.369MHz | ±500ppb |
| 7Q-16.369MBG-T | TXC 晶振 | 7Q | TCXO | 16.369MHz | ±500ppb |
| 7L-40.000MCS-T | TXC 晶振 | 7L | VCTCXO | 40MHz | ±2ppm |
| 7L-40.000MCS-T | TXC 晶振 | 7L | VCTCXO | 40MHz | ±2ppm |
| 7L-40.000MCS-T | TXC 晶振 | 7L | VCTCXO | 40MHz | ±2ppm |
| 7Q-16.3676MBG-T | TXC 晶振 | 7Q | TCXO | 16.3676MHz | ±500ppb |
| 7Q-16.3676MBG-T | TXC 晶振 | 7Q | TCXO | 16.3676MHz | ±500ppb |
| 7Q-16.3676MBG-T | TXC 晶振 | 7Q | TCXO | 16.3676MHz | ±500ppb |
| 8W-12.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±50ppm |
| 8W-12.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±50ppm |
Vectron International在頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計、制造和營銷方面處于世界領(lǐng)先地位。Vectron晶振通過提供可加快上市時間并提供較低總擁有成本的定制解決方案來解決復(fù)雜的時序、濾波和傳感器挑戰(zhàn)。Vectron晶振致力于行業(yè)最高質(zhì)量的服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)和完全的滿意度，利用其全球足跡和50年的經(jīng)驗幫助客戶實現(xiàn)競爭差異化并提高他們的底線。Vectron晶振總部位于新罕布什爾州哈德遜，在北美、歐洲和亞洲設(shè)有運營設(shè)施和銷售辦事處。欲了解更多信息，請訪問eitherspanlaw.com
| 8W-12.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±50ppm |
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| AU-24.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 24MHz | ±50ppm |
| AU-24.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 24MHz | ±50ppm |
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| 7Z-26.000MDS-T | TXC 晶振 | 7Z | VCTCXO | 26MHz | ±2ppm |
| 7Z-26.000MDS-T | TXC 晶振 | 7Z | VCTCXO | 26MHz | ±2ppm |
| 8W-26.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 26MHz | ±50ppm |
| 8W-26.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 26MHz | ±50ppm |
| 8W-26.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 26MHz | ±50ppm |
| 8W-40.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 8W-40.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 8W-40.000MBB-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 7L-26.000MCG-T | TXC 晶振 | 7L | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 7L-26.000MCG-T | TXC 晶振 | 7L | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 7L-26.000MCG-T | TXC 晶振 | 7L | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| BB-106.250MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 106.25MHz | ±50ppm |
| BB-106.250MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 106.25MHz | ±50ppm |
| BB-106.250MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 106.25MHz | ±50ppm |
| 7Z-26.000MBG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 7Z-26.000MBG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 7Z-26.000MBG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 7Z-38.400MDG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
| 7Z-38.400MDG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
| 7Z-38.400MDG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
| 7Z-26.000MDG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 7Z-26.000MDG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 7Z-26.000MDG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 26MHz | ±500ppb |
| 8W-19.200MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
| 8W-19.200MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
| 8W-19.200MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
| 8W-40.000MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 40MHz | ±25ppm |
| 8W-40.000MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 40MHz | ±25ppm |
| 8W-40.000MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 40MHz | ±25ppm |
| 7W-125.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
Microsemi Corporation為通信、國防與安全、航空航天和工業(yè)市場提供全面的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案組合。產(chǎn)品包括高性能和抗輻射的模擬混合信號集成電路、FPGA、SoC和ASIC；電源管理產(chǎn)品；計時和同步設(shè)備和精確的時間解決方案，設(shè)定世界時間標(biāo)準(zhǔn)；語音處理設(shè)備；射頻解決方案；分立元件；安全技術(shù)和可擴展的防篡改產(chǎn)品；以太網(wǎng)解決方案；以太網(wǎng)供電IC和中跨；以及定制設(shè)計能力和服務(wù)。Microsemi總部位于加利福尼亞州Aliso Viejo，在全球擁有約3,600名員工。訪問eitherspanlaw.com了解更多信息
| 7W-125.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
| 7W-125.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
| 8W-24.576MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
| 8W-24.576MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
| 8W-24.576MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
| 7W-133.330MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 133.33MHz | ±50ppm |
| 7W-133.330MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 133.33MHz | ±50ppm |
| 7W-133.330MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 133.33MHz | ±50ppm |
| BT-156.250MBC-T | TXC 晶振 | BT | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| BT-156.250MBC-T | TXC 晶振 | BT | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| BT-156.250MBC-T | TXC 晶振 | BT | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| BB-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BB-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BB-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BS-106.250MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 106.25MHz | ±100ppm |
| BS-106.250MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 106.25MHz | ±100ppm |
| BS-106.250MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 106.25MHz | ±100ppm |
| BB-133.330MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 133.33MHz | ±50ppm |
| BB-133.330MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 133.33MHz | ±50ppm |
| BB-133.330MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 133.33MHz | ±50ppm |
| CB-150.000MBE-T | TXC 晶振 | CB | XO | 150MHz | ±50ppm |
| CB-150.000MBE-T | TXC 晶振 | CB | XO | 150MHz | ±50ppm |
| CB-150.000MBE-T | TXC 晶振 | CB | XO | 150MHz | ±50ppm |
| BF-156.250MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 156.25MHz | ±50ppm |
| BF-156.250MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 156.25MHz | ±50ppm |
| BF-156.250MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 156.25MHz | ±50ppm |
| BB-156.250MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 156.25MHz | ±50ppm |
| BB-156.250MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 156.25MHz | ±50ppm |
| BB-156.250MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 156.25MHz | ±50ppm |
| CS-156.250MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| CS-156.250MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| CS-156.250MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| BS-250.000MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 250MHz | ±100ppm |
| BS-250.000MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 250MHz | ±100ppm |
| BS-250.000MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 250MHz | ±100ppm |
1995年《私人證券訴訟改革法案》下的“安全港”聲明：本新聞稿中提出的任何不完全是歷史和事實的聲明，包括但不限于與Vectron晶振和Microsemi相關(guān)的聲明，宣布Vectron晶振的精密振蕩器將支持Microsemi的計時卡PLL解決方案及其對未來業(yè)務(wù)的潛在影響是前瞻性陳述。這些前瞻性陳述基于我們當(dāng)前的預(yù)期，并且固有地受到可能導(dǎo)致實際結(jié)果與前瞻性陳述中表達(dá)的結(jié)果大不相同的風(fēng)險和不確定性的影響。潛在風(fēng)險和不確定性包括但不限于快速變化的技術(shù)和產(chǎn)品過時、潛在成本增加、客戶訂單偏好的變化、市場的弱點或競爭性定價環(huán)境、對公司產(chǎn)品的不確定性需求和接受度等因素。產(chǎn)品、我們?nèi)魏谓K端市場的不利情況、進行中或計劃中的開發(fā)或營銷和促銷活動的結(jié)果、困難
| CT-156.250MCC-T | TXC 晶振 | CT | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| CT-156.250MCC-T | TXC 晶振 | CT | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| CT-156.250MCC-T | TXC 晶振 | CT | SO (SAW) | 156.25MHz | ±100ppm |
| BB-166.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 166MHz | ±50ppm |
| BB-166.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 166MHz | ±50ppm |
| BB-166.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 166MHz | ±50ppm |
| BS-312.500MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| BS-312.500MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| BS-312.500MBC-T | TXC 晶振 | BS | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| BT-312.500MBC-T | TXC 晶振 | BT | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| BT-312.500MBC-T | TXC 晶振 | BT | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| BT-312.500MBC-T | TXC 晶振 | BT | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| CS-212.500MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 212.5MHz | ±100ppm |
| CS-212.500MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 212.5MHz | ±100ppm |
| CS-212.500MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 212.5MHz | ±100ppm |
| BJ-61.440MBE-T | TXC 晶振 | BJ | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
| BJ-61.440MBE-T | TXC 晶振 | BJ | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
| BJ-61.440MBE-T | TXC 晶振 | BJ | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
| CS-312.500MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| CS-312.500MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| CS-312.500MCC-T | TXC 晶振 | CS | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| CT-312.500MCC-T | TXC 晶振 | CT | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| CT-312.500MCC-T | TXC 晶振 | CT | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| CT-312.500MCC-T | TXC 晶振 | CT | SO (SAW) | 312.5MHz | ±100ppm |
| 7P-26.000MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
| 7P-26.000MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
| 7P-26.000MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
| 7P-19.200MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 19.2MHz | ±280ppb |
| 7P-19.200MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 19.2MHz | ±280ppb |
| 7P-19.200MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 19.2MHz | ±280ppb |
| 7P-25.000MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 25MHz | ±280ppb |
| 7P-25.000MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 25MHz | ±280ppb |
| 7P-25.000MBP-T | TXC 晶振 | 7P | TCXO | 25MHz | ±280ppb |
| 7N-20.000MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 20MHz | ±280ppb |
| 7N-20.000MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 20MHz | ±280ppb |
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