首頁晶振行業(yè)動態(tài) OX-221和OX-300高穩(wěn)定性Vectron OCXO在工業(yè)溫度范圍內(nèi)以工業(yè)標準封裝實現(xiàn)±3ppb
OX-221和OX-300高穩(wěn)定性Vectron OCXO在工業(yè)溫度范圍內(nèi)以工業(yè)標準封裝實現(xiàn)±3ppb
來源：http://eitherspanlaw.com 作者：億金電子 2022年05月31
OCXO：烤箱控制晶體振蕩器
如果穩(wěn)定性要求太嚴格而無法通過基本晶體振蕩器或TCXO來滿足，則晶體和關(guān)鍵電路可以通過烤箱進行溫度控制。Vectron恒溫器控制晶體振蕩器的框圖類似于Vectron TCXO的框圖，只是刪除了變?nèi)荻O管和相關(guān)的熱敏電阻補償網(wǎng)絡(luò)，而振蕩器由比例控制的恒溫器晶振進行溫度控制。
比例控制是一種電子伺服系統(tǒng)，持續(xù)為烤箱供電；它會改變烤箱的功率，不斷補償環(huán)境溫度的變化。在許多Vectron烤箱控制振蕩器中，熱敏電阻被熱沉到烤箱的金屬外殼上以感應(yīng)溫度。熱敏電阻是電阻橋的一個分支。
電橋的工作原理是，如果烤箱的溫度由于環(huán)境溫度變化而降低，熱敏電阻電阻的變化會導(dǎo)致電橋不平衡，從而增加電橋輸出電壓。該電壓在高增益差分放大器中被放大。差分放大器的輸出在功率放大器中進一步放大，直接驅(qū)動到烘箱繞組中。因此，由于電橋不平衡導(dǎo)致的小電壓增加會在烘箱繞組上產(chǎn)生很大的電壓增加?？鞠涔β实脑黾訒a(chǎn)生更多的熱量，以補償最初由熱敏電阻感應(yīng)到的溫度下降。同樣，烤箱溫度升高會導(dǎo)致橋輸出電壓降低，從而導(dǎo)致進入烤箱的功率降低并補償溫度降低。
在某些Vectron OCXO中使用的這種設(shè)計的替代方案是將功率放大器的熱量沉入烤箱外殼作為熱傳遞機制，以代替加熱器繞組。這個概念是相同的，唯一的區(qū)別是加熱到烤箱的車輛。
使用比例控制的烘箱可以將振蕩器溫度穩(wěn)定性相對于晶體的固有穩(wěn)定性提高5000倍以上（例如，在0-50°C范圍內(nèi)從±1x10-5到±1x10-9）。然而，烤箱控制系統(tǒng)并不完美，因為(a)開環(huán)增益不是無限的，(b)烤箱內(nèi)部存在內(nèi)部溫度梯度，以及(c)烤箱外部受環(huán)境溫度變化影響的電路可以“拉”頻率。因此，環(huán)境溫度的變化將導(dǎo)致烘箱溫度的微小變化。
當振蕩器最初在室溫下打開時，相對于烘箱穩(wěn)定后的輸出頻率，頻率非常高，通常為30x10-6。這僅僅是因為AT切割晶體的頻率在室溫下遠高于其上限周轉(zhuǎn)溫度。隨著烤箱升溫，晶體頻率迅速降低。在標準Vectron振蕩器中，烘箱在10-15分鐘內(nèi)達到平衡，但晶體在穩(wěn)定之前顯示出橡皮筋效應(yīng)并超出其最終頻率。通常，開機后30分鐘內(nèi)即可達到較高的穩(wěn)定性；在特殊的快速預(yù)熱設(shè)計中，此時間可縮短至5分鐘以下。
1.成本。由于在制造SC晶體時圍繞兩個軸的嚴格控制角度旋轉(zhuǎn)與AT的一個軸相比存在困難，因此SC晶體的成本明顯高于相同頻率和泛音的AT。
2.可拉性。SC晶體的運動電容比相同頻率和泛音的AT小數(shù)倍，從而降低了“拉動”晶體頻率的能力。這限制了SC晶體在傳統(tǒng)TCXO和VCXO中的使用，甚至在需要能夠以任何顯著程度偏離振蕩頻率的恒溫振蕩器中使用。
如果穩(wěn)定性要求太嚴格而無法通過基本晶體振蕩器或TCXO來滿足，則晶體和關(guān)鍵電路可以通過烤箱進行溫度控制。Vectron恒溫器控制晶體振蕩器的框圖類似于Vectron TCXO的框圖，只是刪除了變?nèi)荻O管和相關(guān)的熱敏電阻補償網(wǎng)絡(luò)，而振蕩器由比例控制的恒溫器晶振進行溫度控制。
| 16.0000M-FQ5032-T |
| Hosonic 晶振 |
| 5x3.2mm SMD Xtal |
| 18.4320M-FQ5032-T |
| Hosonic 晶振 |
| 5x3.2mm SMD Xtal |
| 5SB10.0000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| CRYSTAL / 10.000MHZ / 20pf / 5.0x3.2x0.9 |
| D7SX30E00000PE |
| Hosonic 晶振 |
| D37A30.0000NNS |
| E2SB16.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 16 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB18.4320F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| 低至：¥2.937106 (CNY) |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 18.432 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB20.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 20 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB24.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 24 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB27.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 27 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3FB12.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB 系列 12 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E3FB16.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB 系列 16 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E3FB24.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB 系列 24 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E3FB27.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB Series 27 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB12E000021E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 12 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB13.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB13.5600F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB13.5600F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB16.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 16 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB18.4320F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 18.4318 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB20E000014E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 20 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB24.0000F12M33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 24 MHz ±15 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB24.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB24.5760F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24.576 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB24E00000SE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 24 MHz ±20 ppm 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB25.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 25 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB26E00000YE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 26 MHz ±20 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB27E0X000LE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 27 MHz ±20 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB40.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 40 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB40E001200E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 40 MHz ±30 ppm 10 pf -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E49A11E0X000JE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 11.0592 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A12E00000ME |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| E49A16E00000ME |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 16 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A24E00000HE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 24 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A25E00001AE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 25 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A25E000033E |
| Hosonic 晶振 |
| 20pf/±30ppm/±30ppm/-20+70c/F/Lead cut=3.2±0.2 Crystal |
| E49A4E000000JE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 4 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A7E00X0007E |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 7.3728 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A8E000001CE |
| Hosonic 晶振 |
| E49A Series 10 pF -20 to +70 °C Through Hole Crystal |
| E49B10E00000TE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E49B12E00001DE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 66 MHz ±50 ppm 10 pF -30 to +85 °C Surface Mount Crystal - HC-49/S |
| E49B12E000022E |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 12 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| E49B16E00000KE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 16 MHz 16 pF 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E49B16E00000SE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 16 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| E49B4E000000GE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 4 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 單元 |
| E49B4E00X000ZE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 10 pF -20 to +70°C Surface Mount Crystal |
| E49B7E00X000AE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 7.3728 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| E49B8E00X000CE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 10pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E49B9E00X0009E |
| Hosonic 晶振 |
| ESB 系列 9.84375 MHz ±30 ppm 10 pF -40至85 °C 表面貼裝 晶體 |
| E5FA10.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 10 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA12E00000ME |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA13.5600F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA Series 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E5FA14.7456F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA16.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA18.4320F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA24.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA24.0000F20D33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA Series 24 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E5FA24.5760F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA25E00000KE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA Series 25 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E5FA25E00000TE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB11E0X0006E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB12.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB13.5600F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB14.7456F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB20.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB24.0000F18M12 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| E5SB24.5760F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB25.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB25E00001LE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB27.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 27 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| ESA10.0000F30C35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 10 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA12.0000F20B35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA12.0000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 12 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA12.0000F30D35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA12.000F30D55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA14.7456F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 14.7456 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA16.0000F30M55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 16 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA18.4320F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 18.432 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA20.0000F18M33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 20 MHz ±50 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA20.0000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 20 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA20.0000F30M55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 20 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA3.68640F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 3.6864 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA8.00000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 8 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESB10.0000F20M35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 10 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB11.0592F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB12.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB14.7456F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB16.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB18.4320F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB19.2000F32M55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 19.2 MHz ±30 ppm 32 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB19.44000F18M55F |
| Hosonic 晶振 |
| 49SMA 系列 10 x 3.5 mm 19.44 MHz ±50 ppm 18 pF -40至85 晶振 |
| ESB20.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB24.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB24.5760F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB25.0000F18C25F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 25 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB25.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB3.68640F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 3.6864 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB4.00000F20E23FX |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 4 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB6.00000F16D33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 6 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB8.00000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 8 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB8.00000F20B33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 8 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| 總結(jié)，就這些型號 |
| 16.0000M-FQ5032-T |
| 18.4320M-FQ5032-T |
| 5SB10.0000F20E33F |
| D7SX30E00000PE |
| E3SB12E000021E |
| E3SB16.0000F16M33 |
| E3SB16E001500E |
| E3SB18.4320F18E22 |
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